Ліхтар LED (противотуманки, балка) додатковий світлодіодний (12 світлодіодів) 12V 6000 K (пр-во LED,Китай)

Ліхтар призначений для використання як протитуманна фара, додаткове підсвічування автомобіля, а так само як додаткові ходові вогні. Ліхтар має залізний (не іржавіючий) і одночасно герметичний корпус не боїться ударів, вологи, морозів. У конструкції використані потужні світлодіоди і лінзи для більш концентрованого пучка світла, тому цю балку краще застосовувати для посилення , дальнього світла. Світіння діодів досить яскраве, а завдяки наявності відбивачів світло зібраний пучок, що підвищує якість освітлення. У модельний ряд включені всі найбільш підходящі для Вас розміри.

Монтаж ліхтарів досить простий. Кріпильні елементи йдуть в комплекті.

Параметри лампи:

Сама остання розробка від фірми LED. Лампи мають краще охолодження, що сприяє більш тривалій роботі. Лампи світлодіодні призначені для всіх марок автомобілів. Лампи забезпечують досить яскраве світіння, стійкі до перепадів температур і мають довгий термін експлуатації 30000 годин. Одним з важливих переваг світлодіодних ламп - це низьке виділення тепла при світінні, а це значить що воно не впливає на блок-фару, зберігаючи її характеристики на більш тривалий термін. (не псується відбивач, не тьмяніє скло). З розвитком технологій виготовлення світлодіодних елементів яскравість світіння автомобільних ламп перевищила яскравість галогенних ламп, навіть по температурних параметрах і часу розпалу, а також терміну експлуатації залишилися далеко позаду ксенонові лампи.

З вище перерахованих достоїнств можна зробити висновок, що світлодіодні автомобільні лами - це кращий вибір для Вашого автомобіля.

Розмір ліхтаря:

Довжина 19,5 см

Призначення: ближнє світло

Колірна температура: 6000К

Гарантія: 3 місяці. ( гарантія здійснюється на будь-які внутрішні поломки тільки при цілісності оболонки ламп)

Опис і принцип роботи світлодіодної лампи.

Підвищення енергоефективності у всьому світі в даний час приділяється багато уваги. Енергоефективність є одним з ключових аспектів будь-якої економічної діяльності. Вимоги до її підвищення встановлюються навіть законодавчо багатьма державами з метою збереження ресурсів. Світлодіодне освітлення набагато більш ефективно в порівнянні з традиційними джерелами світла, його впровадження є пріоритетним напрямком розвитку. Поява нового ринку — ринку світлодіодних пристроїв для освітлювальних цілей, стало можливим завдяки суттєвому прогресу у світлодіодних і супутніх їм технології. У 2007 році ефективність потужних світлодіодів і світловипромінюючих елементів світильників досягла порівнянних значень з ефективністю інших існуючих енергоефективних джерел білого світла, в наступні роки вона перевищила цей показник (див. рис. 1). Успіхи у створенні джерел живлення для світлодіодного освітлення з ефективністю 90% і більше, забезпечення теплового режиму, виробництва ефективних оптичних систем послужили створенню нових високотехнологічних джерел світла та формування ринку світлодіодного освітлення.

Рис. 1. Динаміка зростання ефективності джерел білого світла.

Варто відзначити також успішний розвиток технологій виробництва напівпровідникових компонентів і пристроїв, що приводить до скорочення енергоспоживання та збільшення продуктивності як самих пристроїв, так і виробів, створених на їх основі. Технології напівпровідникових сполук і пристроїв будуть ключовою технологією, що розвивається для використання в бездротових мережах, а також для цілого ряду цивільних і оборонних застосувань.

Світлодіод. Призначення і властивості основних елементів світлодіодів.

Світлодіод — напівпровідниковий джерело некогерентного оптичного випромінювання, принцип дії якого заснований на явищі електролюмінесценції при інжекції неосновних носіїв заряду через гомо - чи гетеро - p-n перехід [1]. В даний час виробляються світлодіоди видимого, ультрафіолетового та інфрачервоного діапазонів.

Світлодіод складається з напівпровідникового світло випромінюючого чіпа, корпусу, дротяних висновків, електрично з'єднують світлодіодний чіп і електричну розводку корпусу, матеріалу-фіксатора чіпа корпусі — клею або адгезиву, або матеріалу припою у разі використання flip-чіпів, оптичного полімеру або компаунда. Конструкція потужних світлодіодів (рис. 2) додатково містить діод, що захищає світлодіод від електростатичного розряду.

Світлодіодний чіп.
Основу будь-якого світлодіода становить світлодіодний чіп. У літературі використовують і слово «кристал», проте воно не відбиває всієї технологічної складності виготовлення внутрішньої структури світлодіодного чіпа.
Першим етапом створення світлодіодного чіпа є пошарове вирощування певної напівпровідникової гетероструктури на обраному матеріалі підкладки. Склад і фізичні властивості гетероструктури визначають довжину хвилі випромінювання світлодіодного чіпа. Основними матеріалами, з яких виготовляються світлодіодні чіпи, є сполуки GaN, AlN, InN, GaAs, GaP і їх тверді розчини [2]. Фізична якість гетероструктури, наявність чи відсутність внутрішніх дефектів і домішок корінним чином визначають ефективність світлодіодного чіпа і термін його служби.
Наприклад, компанія «Оптоган» володіє оригінальними запатентованими эпитаксиальными технологіями, що дозволяють вирощувати структури InGaAlN на сапфірових підкладках з особливо низькою кількістю ростових дефектів (дислокацій). Завдяки низькій концентрації дислокацій чіпи, вироблені компанією «Оптоган», не схильні до прискореної деградації при високих струмах і температурах, що збільшує час життя світлодіодів.
Однак якісно вирощена епітаксиальна структура ще не означає отримання якісного та ефективного світлодіодного чіпа. Винятково важливими є наступні технологічні кроки, що дозволяють створити з напівпровідникової пластини готові до постановки в корпус світлодіодні чіпи, формування висновків, нанесення захисного оптичного покриття, тобто проведення так званого процесу «упаковки». На даному виробничому етапі, званому «формуванням чіпів», пластини з вирощеними на них гетероструктурами проходять кілька циклів фотолітографії, хімічного травлення, нанесення захисних та буферних шарів та електричних контактів. Стабільність і технологічна чистота кожного з зазначених процесів визначають не тільки якість готового чіпа, але і його ціну. Саме тому виробники постійно вдосконалює кожен з окремих процесів, доводячи їх до оптимального рівня. Сформовані чіпи проходять візуальний контроль, визначаються їх оптичні та електричні характеристики (рис. 3.). Потім пластина з чіпами розділяється на окремі чіпи з допомогою механічної або лазерного різання. Після цього чіпи знову тестуються, сортуються і надходять для кінцевого монтажу чіпа в корпус світлодіода.

Рис. 3. Тестування оптичних і електричних характеристик світлодіодних чіпів на пластині, ще не поділеної на окремі чіпи

В процессе монтажа светодиодный чип соединяется с внешними контактами корпуса светодиода и покрывается оптическим полимером, зачастую силиконом. Качество соединения чипа с внешними контактами корпуса определяет не только способность светодиода безотказно работать при заявленных электрических параметрах, но и определяет степень и качество отвода тепла из активной области светодиодного чипа, что влияет на долговечность светодиода. Оптический полимер не только защищает поверхность чипа от механического воздействия, но также способствует увеличению вывода излучения из чипа. Безпосередньо в оптичному полімері може бути розчинений люмінофор, спектр поглинання якого припадає на спектр випромінювання чіпа. В цьому випадку спектр випромінювання світлодіода буде дорівнює сумі спектру випромінювання чіпа і спектру перевипромінювання люмінофора.
Основное назначение светодиодных чипов состоит в том, чтобы излучать свет. Однако в процессе работы устройства часть поступающей электрической энергии теряется, переходя в тепло. Чрезмерный нагрев светодиодного чипа приводит к изменению его характеристик, снижению срока службы и даже к выходу из строя. Задача исследователей и разработчиков состоит в том, чтобы снизить количество тепловых потерь. Цього можна досягти різними шляхами, зокрема, за рахунок зменшення кількості і товщини шарів матеріалів, що використовуються у світлодіодному чіпі, поліпшення епітаксійного якості гетероструктури чіпа, створення структури, що забезпечує рівномірне розтікання струму і багатьма іншими способами [4-6].