Світлодіодні лампи для автомобільних фар LED S7 9005 12V - 24V 40W 6500 K (комплект 2 шт) (вир-во LED,Китай)

Параметри лампи:

Лампи світлодіодні призначені для фар будь-яких конфігурацій всіх марок автомобілів. Лампи забезпечують досить яскраве світіння, стійкі до перепадів температур і мають довгий термін експлуатації 30000 годин. Одним з важливих переваг світлодіодних ламп - це низьке виділення тепла при світінні, а це значить що воно не впливає на блок-фару, зберігаючи її характеристики на більш тривалий термін. (не псується відбивач, не тьмяніє скло). З розвитком технологій виготовлення світлодіодних елементів яскравість світіння автомобільних ламп перевищила яскравість галогенних ламп, навіть по температурних параметрах і часу розпалу, а також терміну експлуатації залишилися далеко позаду ксенонові лампи.

У лампах цієї моделі об'єднуються останні досягнення в конструюванні світлодіодної техніки для автомобілів. Однією з найважливіших переваг є підвищена надійність і ефективність охолоджуючого вентилятора. Забір повітря відбувається збоку виключає проблему засмічення вентилятора, і внаслідок виходу його з ладу. Новий вид вентилятора надає лампі компактність, а значить спрощує установку її в фару. У лампі застосовані дуже потужні світлодіоди (потужність світла 8000 люменів при набагато менших енерговитратах ( всього 40 ватт), які за світінням залишають далеко позаду ксенонові лампи.

З вище перерахованих достоїнств можна зробити висновок, що світлодіодні автомобільні лами - це кращий вибір для Вашого автомобіля.

Увага! Суворо дотримуйтесь полярності. (вона вказана на роз'ємі лампи)

Розмір патрона: 9005

Потужність: 40 W

Колірна температура: 6500К

Світловий потік: 8000 LM

Напруга: 12-24 V

Гарантія: 6 місяців. ( гарантія здійснюється на будь-які внутрішні поломки тільки при цілісності оболонки ламп)

Опис і принцип роботи світлодіодної лампи.

Підвищення енергоефективності у всьому світі в даний час приділяється багато уваги. Енергоефективність є одним з ключових аспектів будь-якої економічної діяльності. Вимоги до її підвищення встановлюються навіть законодавчо багатьма державами з метою збереження ресурсів. Світлодіодне освітлення набагато більш ефективно в порівнянні з традиційними джерелами світла, його впровадження є пріоритетним напрямком розвитку. Поява нового ринку — ринку світлодіодних пристроїв для освітлювальних цілей, стало можливим завдяки суттєвому прогресу у світлодіодних і супутніх їм технології. У 2007 році ефективність потужних світлодіодів і світловипромінюючих елементів світильників досягла порівнянних значень з ефективністю інших існуючих енергоефективних джерел білого світла, в наступні роки вона перевищила цей показник (див. рис. 1). Успіхи у створенні джерел живлення для світлодіодного освітлення з ефективністю 90% і більше, забезпечення теплового режиму, виробництва ефективних оптичних систем послужили створенню нових високотехнологічних джерел світла та формування ринку світлодіодного освітлення.

Рис. 1. Динаміка зростання ефективності джерел білого світла.

Варто відзначити також успішний розвиток технологій виробництва напівпровідникових компонентів і пристроїв, що приводить до скорочення енергоспоживання та збільшення продуктивності як самих пристроїв, так і виробів, створених на їх основі. Технології напівпровідникових сполук і пристроїв будуть ключовою технологією, що розвивається для використання в бездротових мережах, а також для цілого ряду цивільних і оборонних застосувань.

Світлодіод. Призначення і властивості основних елементів світлодіодів.

Світлодіод — напівпровідниковий джерело некогерентного оптичного випромінювання, принцип дії якого заснований на явищі електролюмінесценції при інжекції неосновних носіїв заряду через гомо - чи гетеро - p-n перехід [1]. В даний час виробляються світлодіоди видимого, ультрафіолетового та інфрачервоного діапазонів.

Світлодіод складається з напівпровідникового світло випромінюючого чіпа, корпусу, дротяних висновків, електрично з'єднують світлодіодний чіп і електричну розводку корпусу, матеріалу-фіксатора чіпа корпусі — клею або адгезиву, або матеріалу припою у разі використання flip-чіпів, оптичного полімеру або компаунда. Конструкція потужних світлодіодів (рис. 2) додатково містить діод, що захищає світлодіод від електростатичного розряду.

Світлодіодний чіп.
Основу будь-якого світлодіода становить світлодіодний чіп. У літературі використовують і слово «кристал», проте воно не відбиває всієї технологічної складності виготовлення внутрішньої структури світлодіодного чіпа.
Першим етапом створення світлодіодного чіпа є пошарове вирощування певної напівпровідникової гетероструктури на обраному матеріалі підкладки. Склад і фізичні властивості гетероструктури визначають довжину хвилі випромінювання світлодіодного чіпа. Основними матеріалами, з яких виготовляються світлодіодні чіпи, є сполуки GaN, AlN, InN, GaAs, GaP і їх тверді розчини [2]. Фізична якість гетероструктури, наявність чи відсутність внутрішніх дефектів і домішок корінним чином визначають ефективність світлодіодного чіпа і термін його служби.
Наприклад, компанія «Оптоган» володіє оригінальними запатентованими эпитаксиальными технологіями, що дозволяють вирощувати структури InGaAlN на сапфірових підкладках з особливо низькою кількістю ростових дефектів (дислокацій). Завдяки низькій концентрації дислокацій чіпи, вироблені компанією «Оптоган», не схильні до прискореної деградації при високих струмах і температурах, що збільшує час життя світлодіодів.
Однак якісно вирощена епітаксиальна структура ще не означає отримання якісного та ефективного світлодіодного чіпа. Винятково важливими є наступні технологічні кроки, що дозволяють створити з напівпровідникової пластини готові до постановки в корпус світлодіодні чіпи, формування висновків, нанесення захисного оптичного покриття, тобто проведення так званого процесу «упаковки». На данном производственном этапе, называемом «формированием чипов», пластины с выращенными на них гетероструктурами проходят несколько циклов фотолитографии, химического травления, нанесения защитных и буферных слоев и электрических контактов. Стабильность и технологическая чистота каждого из указанных процессов определяют не только качество готового чипа, но и его цену. Именно поэтому производители постоянно совершенствует каждый из отдельных процессов, доводя их до оптимального уровня. Сформовані чіпи проходять візуальний контроль, визначаються їх оптичні та електричні характеристики (рис. 3.). Потім пластина з чіпами розділяється на окремі чіпи з допомогою механічної або лазерного різання. Після цього чіпи знову тестуються, сортуються і надходять для кінцевого монтажу чіпа в корпус світлодіода.

Рис. 3. Тестування оптичних і електричних характеристик світлодіодних чіпів на пластині, ще не поділеної на окремі чіпи

В процессе монтажа светодиодный чип соединяется с внешними контактами корпуса светодиода и покрывается оптическим полимером, зачастую силиконом. Качество соединения чипа с внешними контактами корпуса определяет не только способность светодиода безотказно работать при заявленных электрических параметрах, но и определяет степень и качество отвода тепла из активной области светодиодного чипа, что влияет на долговечность светодиода. Оптический полимер не только защищает поверхность чипа от механического воздействия, но также способствует увеличению вывода излучения из чипа. Непосредственно в оптическом полимере может быть растворен люминофор, спектр поглощения которого приходится на спектр излучения чипа. В этом случае спектр излучения светодиода будет равен сумме спектра излучения чипа и спектра переизлучения люминофора.
Основное назначение светодиодных чипов состоит в том, чтобы излучать свет. Однако в процессе работы устройства часть поступающей электрической энергии теряется, переходя в тепло. Чрезмерный нагрев светодиодного чипа приводит к изменению его характеристик, снижению срока службы и даже к выходу из строя. Задача исследователей и разработчиков состоит в том, чтобы снизить количество тепловых потерь. Этого можно достичь различными путями, в частности, за счет уменьшения количества и толщины слоёв используемых материалов в светодиодном чипе, улучшения эпитаксиального качества гетероструктуры чипа, создания структуры, обеспечивающей равномерное растекание тока и многими другими способами [4–6].